Специалисты Московского института электронной техники совместно с другими российскими коллегами разработали уникальный чип для создания инновационных фотонных схем. Уже сейчас технологическое решение нового поколения готово к внедрению на производство без дополнительного усовершенствования и оптимизации.

Поверхность кольцевых микрорезонаторов из нитрида кремния в устройстве защищена сверхтонкой пленкой GST. Когда фазовый статус и алгоритмы поглощения GST меняются, то осуществляются перемены сигнала оптической специфики, проникающего через конструкцию волновода. Смену фазовых уровней можно реализовать с помощью импульсов лазера, которые проходят через волновод.

Умная технология энергонезависимых перестраиваемых нанофотонных чипов предусматривает скорость переключения фаз за доли секунды. Что касается пленки GST, то она является самым лучшим материалом для сигнальной регулировки в тонкопленочных волноводных компонентах, применяющихся в сфере телекоммуникации.

Теперь научные деятели хотят повысить возможности чипа для увеличения количества записываемых логических ступенек. Кроме прочего, изобретаются решения для построения новых интегрально-оптических схем и механизмов на их базе.